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v 单价离子加速能量≥200keV，并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围
v 可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片
v 可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子
v 注入剂量精准度≤1.5%
v 离子注入剂量范围：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2
v 离子源部分：离子源、离子源气体系统和离子源引出系统
v 离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer，温度达700℃，实现固态源的离子注入
v 离子注入倾斜角度在0°和7°
v 室温台：0°和7°；高温台：0°
v 束流调整系统主要包括：质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器
v 真空系统主要包括：Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元
v 真空度：
Ion Source真空度：≤7×10-4Pa
Beam Line真空度：≤7×10-5Pa
End Station真空度：≤7×10-5Pa
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