简要描述：一、产品介绍CIF推出等离子去胶机，采用电感耦合各向同性（各个方向）等离子激发方式，适用于所有的基材及复杂的几何构形都可以进行等离子体去胶

一、产品介绍

CIF推出等离子去胶机，采用电感耦合各向同性（各个方向）等离子激发方式，适用于所有的基材及复杂的几何构形都可以进行等离子体去胶。其外观美学设计，结构紧凑，漂亮大气，优化的腔体结构及合理的结构设计，使得处理样品量更大，适用范围更广，性能更稳定，操作更简便，性价比更高，使用成本更低，实用性更强，更容易维护。特别适合于大学，科研院所和微电子、半导体企业实验室，对电路板、外延片、芯片、环氧基树脂、MEMS制造过程中牺牲层，干刻或湿刻处理前或后，对基材进行聚合物剥离、金属剥离、掩膜材料等光刻胶去除，以及晶圆表面预处理等。

二、产品特点

u PLC工控机控制整个去胶过程，手动、自动两种工作模式。

u 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。

u 石英真空仓，全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

u 可选用石英舟，更适合晶元硅片去胶应用。

u 有效处理面积大，可处理直径200mm晶元硅片。

u 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。

u 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

u HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。

u 处理高效均匀，效率高，工艺重复性好。

u 样品处理温度低，无热损伤和热氧化。

u 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。

三、技术参数