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v MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料
v 应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等
v 从研发到大规模生产
v 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch
通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch
v Ga2O3薄膜生长速率：>3um/h
v Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm
v 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，温度至1400℃
v 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）
v 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能
v 搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图
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