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v 应用方向：高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
v 电阻丝加热电极，温度可达400°C或1200°C
v 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
v 晶圆可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆
v 高导通的径向（轴对称）抽气结构：确保提升了工艺均匀性和速率
v 增加了<500毫秒的数据记录功能：可追溯腔室和工艺条件的历史记录
v 通过前端软件进行设备故障诊断，故障诊断速度快
v 用干涉法进行激光终点监测：在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界
v 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测：监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测
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