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v 支持wafer尺寸:碎片至200mm(可根据客户需求定制四管路或更大基片)
v 单步工艺及多步工艺可选,内置100组可编辑程序
v 转速分辨率:±1 RPM
v 旋涂速度:20-3000rpm(空载)
v 旋涂加速度:10-10,000rpm/sec(空载)
v 工艺时间设定:0-3,000sec/step,时间设置精度: 0.1sec
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