简要描述：一、产品介绍：CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀

一、产品介绍：

CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：

u 介电材料（SiO2、SiNx等）

u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

u 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

u 类金刚石（DLC）     

二、产品特点

u 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。

u PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。

u 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

u 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

u 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。

u HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。

u 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。

u 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。

u 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。

u 有效处理面积大，可处理直径200mm晶元硅片。

u 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。

三、技术参数