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v 能够可靠、可重复测量宽带隙(SiC、GaN)功率半导体的动态特征
v 测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极电荷以及其他许多特征
v 同时满足被测器件和用户对测试环境的要求
v 模块化平台可扩展、可升级,能够对所有功率器件进行测试
v 这种确保 DPT 结果可重复的能力依托于是德科技的专业测量技术, 例如在高频测试(GHz 级)、低泄漏(飞安级)和脉冲功率(1,500 A 电流、10 μs 分辨率)等方面的创新。 这些创新使是德科技占据优势,可以有力地帮助您克服在动态功率半导体表征方面的挑战
v PD1500A 采用的均是标准的测量技术,例如探头补偿、偏置调整、偏移校正和共模噪声抑制。 这些技术已在创新的测量拓扑和版图中使用。 另外,我们专门为本系统开发了半自动校准例程(AutoCal),用于校正系统增益和偏置误差。 该系统还使用去嵌入技术来补偿分流器中的电感寄生效应